تبليغاتX
نانو الکترونیک

نانو الکترونیک

نانو الکترونیک

نانوحسگرها

حسگریک وسیله ی الکتریکی است که تغییرات فیزیکی یا شیمیایی را اندازه گیری می کند وآنها را به سیگنالهای الکتریکی تبدیل می نماید. حسگرها درواقع ابزار ارتباط ربات با دنیای خارج وکسب اطلاعات محیطی ونیز داخلی می باشند. ویا به طور کلی ابزارهایی هستند که تحت شرایط خاص ازخود واکنشهای پیش بینی شده ومورد انتظار نشان می دهند. شاید بتوان دماسنج را جزء اولین حسگرهایی دانست که بشرساخت .

ساختار کلی یک حسگر:
درطراحی یک حسگر دانشمندان علوم مختلف مانند بیوشیمی، بیولوژی، الکترونیک، شاخه های مختلف شیمی و فیزیک حضوردارند. قسمت اصلی یک حسگرشیمیایی یا زیستی عنصرحسگر آن می باشد. عنصرحسگر در تماس با یک آشکارساز است. این عنصرمسئول شناسایی و پیوند شدن با گونه ی مورد نظر در یک نمونه ی پیچیده است. سپس آشکارساز سیگنالهای شیمیایی را که در نتیجه ی پیوند شدن عنصرحسگر با گونه ی موردنظر تولید شده است را به یک سیگنال خروجی قابل اندازه گیری تبدیل می کند. حسگرهای زیستی بر اجزای بیولوژیکی نظیرآنتی بادی ها تکیه دارند. آنزیمها ، گیرنده ها یا کل سلولها می توانند به عنوان عنصر حسگرمورد استفاده قرار گیرند.

خصوصیات حسگرها:
یک حسگرایده آل باید خصوصیات زیررا داشته باشد :
1 . سیگنال خروجی باید متناسب با نوع و میزان گونه ی هدف باشد.
2. بسیار اختصاصی نسبت به گونه مورد نظر عمل کند.
3 . قدرت تفکیک و گزینش پذیری بالایی داشته باشد.
4. تکرارپذیری و صحت بالایی داشته باشد.
5. سرعت پاسخ دهی بالایی داشته باشد ( درحد میلی ثانیه ).
6. عدم پاسخ دهی به عوامل مزاحم محیطی مانند دما ، قدرت یونی محیط و …

نانوحسگرها:
با پیشرفت علم در دنیا و پیدایش تجهیزات الکترونیکی و تحولات عظیمی که در چند دهه ی اخیر و درخلال قرن بیستم به وقوع پیوست نیاز به ساخت حسگرهای دقیق تر،کوچکتر و دارای قابلیتهای بیشتر احساس شد. امروزه از حسگرهایی با حساسیت بالا استفاده می شود به طوریکه در برابر مقادیر ناچیزی از گاز، گرما و یا تشعشع حساس اند. بالا بردن درجه ی حساسیت، بهره و دقت این حسگرها به کشف مواد و ابزارهای جدید نیاز دارد. نانو حسگرها، حسگرهایی در ابعاد نانومتری هستند که به خاطرکوچکی و نانومتری بودن ابعادشان از دقت و واکنش پذیری بسیار بالایی برخوردارند به طوری که حتی نسبت به حضور چند اتم از یک گاز هم عکس‌العمل نشان می دهند.

انواع نانو حسگرها:
نانوحسگرها براساس نوع ساختارشان به سه دسته ی نقاط کوانتومی ، نانولوله های کربنی و نانوابزارها تقسیم بندی می شوند:
1. استفاده از نقاط کوانتومی درتولید نانو حسگرها:
نقاط کوانتومی به عنوان بلورهای نیمه هادی کوچک تعریف می شوند. با کنترل ابعاد نقاط کوانتومی، میدان الکترومغناطیسی نور را دررنگها و طول موجهای مختلف، منتشرمی کند. به عنوان مثال، نقاط کوانتومی از جنس آرسنیدکادمیوم با ابعاد 3 نانومتر نور سبز منتشر می کند؛ درحالی که ذراتی به بزرگی 5/5 نانومتر از همان ماده نور قرمز منتشرمی کند. به دلیل قابلیت تولید نور در طول موجهای خاص نقاط کوانتومی ، این بلورهای ریز در ادوات نوری به کارمی روند. دراین عرصه از نقاط کوانتومی در ساخت آشکارسازهای مادون قرمز، دیودهای انتشار دهنده ی نورمی توان استفاده نمود. آشکارسازهای مادون قرمز از اهمیت فوق العاده ای برخوردارند. مشکل اصلی این آشکارسازها مسئله ی خنک سازی آنهاست. برای خنک سازی این آشکارسازها از اکسیژن مایع وخنک سازی الکترونیکی استفاده می شود. این آشکارسازها برای عملکرد صحیح باید دردماهای بسیار پائین، نزدیک به 80 درجه کلوین کارکنند، بنابراین قابل استفاده در دمای اتاق نیستند، درصورتی که از آشکارسازهای ساخته شده با استفاده از نقاط کوانتومی می توان به راحتی در دمای اتاق استفاده کرد.

2. استفاده ازنانولوله ها درتولید نانوحسگرها:
نانو لوله های کربنی تک دیواره و چند دیواره به علت داشتن خواص مکانیکی و الکترونیکی منحصر به فردشان کاربردهای متنوعی پیدا کردند که از جمله می توان به استفاده از آنها به عنوان حسگرهایی با دقت بسیار بالا برای تشخیص مواد در غلظتهای بسیار پائین و با سرعت بالا اشاره کرد.

به طورکلی کاربرد نانو لوله ها در حسگرها را می توان به دو دسته تقسیم کرد:
الف ) نانولوله های کربنی به عنوان حسگرهای شیمیایی:
این حسگرها می توانند دردمای اتاق غلظتهای بسیارکوچکی از مولکولهای گازی با حساسیت بسیاربالا را آشکارسازی کنند. حسگرهای شیمیایی شامل مجموعه ای از نانولوله های تک دیواره هستند و میتوانند مواد شیمیایی مانند دی اکسید نیتروژن ( NO2 ) وآمونیاک ( NH3 ) را آشکارکنند. هدایت الکتریکی یک نانولوله نیمه هادی تک دیواره که درمجاورت ppm200 از NO2 قرارداده می شود، می تواند در مدت چند ثانیه تا سه برابر افزایش یابد و به ازای اضافه کردن فقط 2% NH3 هدایت دو برابر خواهد شد. حسگرهای تهیه شده ازنانولوله های تک دیواره دارای حساسیت بالایی بوده ودردمای اتاق هم زمان واکنش سریعی دارند. این خصوصیات نتایج مهمی درکاربردهای تشخیصی دارند.
ب) نانولوله های کربنی به عنوان حسگرهای مکانیکی:
هنگامی که یک نانولوله توسط جسمی به سمت بالا یا پائین حرکت می کند، هدایت الکتریکی آن تغییر می یابد. این تغییر در هدایت الکتریکی، با تغییر شکل مکانیکی نانولوله کاملا ً متناسب است. این اندازه گیری به وضوح امکان استفاده از نانولوله ها را به عنوان حسگرهای مکانیکی نشان می دهد. یا می توان با استفاده از مواد واسط مانند پلیمرها در فاصله ی میان نانولوله های کربنی وسیستم، نانولوله های کربنی را برای ساخت بیوحسگرها توسعه داد. شبیه سازی های دینامیکی نشان می دهد که برخی پلیمرها مانند پلی اتیلن می توانند به صورت شیمیایی با نانولوله کربنی پیوند یابند. همچنین مولکول بنزن نیز می تواند به وسیله ی پیوندهای واندروالس روی نانولوله ی کربنی جذب شود. این تحقیقات کاربردهای بسیار متنوع و وسیع نانولوله ها ی کربنی را نشان می دهد. تحقیق دراین زمینه هنوزدرحال توسعه وپیشرفت است ومطمئنا ً درآینده ای نه چندان دور شاهد به کارگیری آنها درابزارها و صنایع مختلف خواهیم بود.

3. استفاده ازنانو ابزارها درتولید نانوحسگرها:
با استفاده از این حسگرها شناسایی مقادیر بسیار کم آلودگی شیمیایی یا ویروس و باکتری در سامانه ی کشاورزی وغذایی ممکن است. تحقیقات درزمینه ی نانوابزارها جزء پژوهشهای علمی به روز دنیاست.

 نانو حسگرها و کنترل آلودگی هوا:
یکی از نیازهای مهم و اساسی در ارتباط با کنترل آلودگی محیط زیست، پایش مستمرآلودگی هواست. با استفاده از نانوحسگرها پیشرفت مؤثری در زمینه ی کنترل آلودگی هوا صورت گرفته است. یکی از این راهکارها اختراع غبارهای هوشمند می باشد. غبارهای هوشمند مجموعه ای از حسگرهای پیشرفته به صورت نانو رایانه های بسیارسبک هستند که به راحتی ساعتها درهوا معلق باقی می مانند. این ذرات بسیار ریز از سیلیکون ساخته می شوند و می توانند ازطریق بی سیم موجود درخود اطلاعات موجود در خود را به یک پایگاه مرکزی منتقل کنند. سرعت این انتقال حدود یک کیلوبایت در ثانیه است. هم چنین حسگرهایی از جنس نانولوله های تک لایه ساخته شده اند که می توانند مولکولهای گازهای سمی را جذب کنند و همچنین آنها قادر به شناسایی تعداد معدودی از گازهای مهلک موجود درمحیط هستند. محققان معتقدند این نانوحسگرها برای شناسایی گازهای بیوشیمیایی جنگی و آلاینده های هوا کاربرد خواهند داشت.

+ نوشته شده در  سه شنبه بیست و چهارم اردیبهشت 1387ساعت 12:12  توسط دکتر رضا مرادی  | 

تراشه‌هايي با قابليت ريزموج براي ارتباطات بي سیم

تراشه‌هايي با قابليت ريزموج براي ارتباطات بي سيم يكي از پروژه‌هاي اخير اتحاديه اروپا يك ريزتراشه نشانگر جديد را طراحي و توليد كرده است كه به صورت چشمگيري هزينه‌ي توليد كالاهاي بدون سيم را كاهش خواهد داد و اين بدين معناست كه طیف وسيعي از كالاهاي موجود، قابليت ارتباطات بدون سيم را پيدا خواهد كرد. پروژه IMPACT كه از طرف IST حمايت مالي مي‌شود، شامل شركت‌هاي غول‌پيكر صنعتي Ericsson و Philips مي‌شود كه براي ساخت تراشه‌ای که سيگنال‌هاي ريز موج را در بازه‌ فركانس 5 تا 24 گيگاهرتز بفرستد و دريافت كند، با هم كار مي‌كنند. اين تيم طيفي از نشانگرها شامل آمپلي‌فايرها، نوسانگرها، مخلوط‌کن‌‌ها و تقويت كننده‌هاي فركانس را طراحی کرده‌ است. گروه IMPACT انتظار دارد، مدارهاي آنالوگ و با فركانس بالا كشف كند كه با تراشه‌هاي CMOS 90 نانومتري قابل تطبيق باشد. اين تراشه‌ها از مدارهاي بسيار كوچك‌تر (90 نانومتر) از مدل‌هاي فعلي استفاده مي‌كند. دكتر استفان دکوتر، مسئول هماهنگي پروژه IMPACT و محقق مركز بين دانشگاهي ميکروالكترونيك بلژيك مي‌گويد: تراشه‌ها ديجيتال CMOS و در اندازه‌های 90 نانومتر، امسال (سال 2005) قابل دسترسي خواهند بود و مي‌خواهيم بدانیم آيا مي‌توانيم آنها را در ارتباطات ريزموجي با فركانس بالا استفاده كنيم. تراشه‌هاي CMOS با فركانس بالای قديمي‌تر، از قبل در تجهيزات 4/2 گيگاهرتزي مانند فرستنده‌ها و گيرنده‌هاي بلوتوس كه به طور جداگانه توسط Ericsson ، يكي از طرف‌هاي پروژه طراحی شده است، استفاده ‌شده‌اند. ولي به گفته دكتر دکوتر، نيازهايي كه براي استفاده از اين تراشه‌ها در سطوح بالا و پيچيده چون GSM يا "سامانه جهاني ارتباطات سيار" وجود دارد، دست نيافتني‌ترند. در حال حاضر اين كاربردها احتياج به راه‌حل‌هاي گران‌قيمت و چند تراشه‌اي دارد. گروه IMPACT متوجه شده‌اند، تراشه‌هاي CMOS می‌توانند برطرف کننده نیازهای پیچیده و صعب‌الوصول لازم براي كاربردهاي ميان برد و پیشرفته‌ای چون GSM و ارتباطات ريزموجي نقطه به نقطه باشند. اين تراشه‌ها به نحو قابل‌توجهي از هزينه‌ها و ميزان مصرف انرژي خواهند كاست و بر كاربردهاي اين تجهيزات خواهند افزود. به گفته دكتر دکوتر، ساخت اين تراشه‌ها اكنون بسيار هزينه‌بر است، ولي با گذشت زمان بسيار ارزان‌تر خواهد شد. به ديل اين كه تمام مدارها بر روی يك تراشه قرار دارد، فرآيند توليد بسيار اثر بخش‌تر خواهد بود و تراشه‌هاي CMOS فركانس بالا، در حجم وسيع و با هزينه‌هاي بسيار كمتر ساخته خواهد شد. پتانسيل بالا پتانسيل تراشه‌هاي CMOS در ارتباطات ريزموجي بسيار بالاست. به گفته پروفسور هربرت زیرات، يكي از اعضاي IMPACT و استاد دانشگاه فناوري سوئد، CMOS مي‌تواند در ارتباطات از راه دور و مدارهای راداری چون تلفن‌هاي همراه، شبکه‌هاي داخلی بي‌سيم (WLAN) و پيوندهايي سريع، كه تعداد زيادي از كاركردها در آنها جمع شده‌اند، كاربرد داشته باشند. از آن جا كه CMOS با توليد انبوه بسيار اقتصادي است و مي‌تواند در كاهش هزينه‌ها بسيار مؤثر باشد. تراشه‌هاي CMOS نوع مهمي از مدارهاي مجتمع هستند كه شامل ميكروپردازشگرها، ميكروكنترل‌کننده‌ها، حافظه‌هاي ايستا و ديگر مدارهاي ديجيتال مي‌شوند. این كاركردهاي متفاوت مي‌توانند در يك تراشه متمركز شوند كه علاوه بر كاهش هزينه‌ها، پيچيدگي تجهيزاتي چون دوربين‌هاي ديجيتال را كاهش خواهد داد. تراشه‌هاي CMOS تنها زماني كه ترانزيستورهايشان خاموش و روشن می‌شوند، انرژي مصرف مي‌كنند. بنابراين انرژي كمتري مصرف می‌شود و دماي كمتري نسبت به تراشه‌هاي عادي توليد مي‌شود كه اين براي ارتباطات از راه دور ايده‌آل است. به جلو راندن خط مقدم فناوري گروه ‌IMPACT ، دو موفقيت مهم به ثبت رسانیده است. نخست آن كه آن‌ها به خصوصيات عملكردي مورد نظر در قيمت پايين‌تر و سطح پايين‌تري از مصرف انرژي دست يافته‌اند كه با فناوري‌هاي موجود قابل دسترسي می‌باشد، سپس این كه آنها از آخرين خط فناوري مدارها با فناوري CMOS فركانس بالا و آمپلي‌فايرهاي با نشانگرهاي دقيق و نوسانگرهاي با ولتاژ كنترل شده که از لحاظ عملکرد دارای رکورد جهانی هستند، گذشته‌اند. پروژه، حمايت مشتاقانه طرف‌هاي صنعتي را به دست آورده است. اريكسون اظهار مي‌كند، پروژه به چشم‌انداز راهبردي خود براي استفاده از طيف فركانس‌هاي ريزموجي دست يافته است و مزيت اصلي اين پروژه در اين نکته بوده است كه با كاربردهاي مشخص شروع شده است. پروژه حتي ممكن است برای كتاب سال تحقيقات 2005 اتحاديه اروپا، كه تحقيقات برتر را بازتاب مي‌دهد، انتخاب شود. فناوري CMOS، در اندازۀ 90 نانومتري هم‌اكنون مورد استفاده است. به طور مثال كاربردهايي كه اريكسون براي سه سال آينده از اين فناوري در نظر گرفته است شامل ساماندهي شبكه‌هاي داخلي بي‌سيم چون ‌WiFi و نقاط اتصال به جریان در بازه فركانس 5 تا 6 گيگاهرتز است. شرکت Philips ، طرف ديگر پروژه، کاربرد اصلي فناوري CMOS را ايجاد راه حل‌های اقتصادي و تأثيرگذار بر قيمت، براي ارتباطات بي‌سيم كه يك بازار نوظهور مهم و با كاربردها و محصولات بالقوه فراوان است، مي‌داند. Philips اعتقاد دارد، اين فناوري امكان بي‌سيم شدن را براي وسائل الكترونيكي فراهم خواهد آورد و تمام محصولات تمام الكترونيكي امكان بي‌سيم شدن و در نتيجه، تعاملات دستگاه با دستگاه را خواهند داشت. این مسأله تنها توليدات سطح بالا و تجملي را در بر نخواهد گرفت، بلكه مي‌تواند توليدات سطح پايين‌تري چون واکمن‌ها و MP3 Playerها را در برگيرد. البته چنین تجهیزاتی شديداً به یکپارچه‌کردن فناوري فركانس بالا و کارکردهای آنالوگ با فناوري CMOS در زمان معین و با هدف يافتن راه‌حل‌هاي اقتصادي و سامانه‌روی‌تراشه وابسته است كه البته IMPCAT مسير طولاني از این راه را پيموده است. در زمان مناسب، IMPCAT قصد راه‌اندازي يك پروژه‌ي تكميلي دارد كه در صورت امكان تراشه‌هاي CMOS را با فرآيندهای در اندازۀ 45 نانومتر توليد كند. دكتر دکوتر مي‌گويد: اگر به اندازۀ CMOS ديجيتال نگاه كنيد. خواهيد ديد كه تا حدود 65 نانومتر همان رويكرد مربوط به تراشه‌هاي قبلي به كار گرفته مي‌شود. اما در قطع 45 نانومتر و پايين‌تر تقريباً مواد جديد و چینش جديدي از آن‌ها مطرح است كه ما در حال كشف آن هستیم. ما مي‌خواهيم ببينيم، براي توليد يك تراشه 45 نانومتري كه كاركردهاي فركانس بالا و آنالوگ را داشته باشد، چه تحولی باید در فناوری تولید و مواد جديد به وجود بیاید. مزيت‌هايي كه چنين تراشه‌اي مي‌تواند ايجاد كند مي‌تواند شامل اندازه كوچكتر تراشه و پتانسيل براي عملكرد بهتر و مصرف كمتر انرژي با همان كاركرد باشد كه البته اين بستگی دارد که محققان تا چه حد به موفقیت دست یابند. منبع:http://www.nano.ir
+ نوشته شده در  سه شنبه بیستم فروردین 1387ساعت 12:17  توسط دکتر رضا مرادی  | 

نانوفوتونیک

نانوفوتونيک: جبهه‌اي مهيج در فناوري‌نانو اين متن ترجمه اي است از فصل اول کتاب Nanophotonics تأليف Paras N. Prasad که بنابر اظهار نظر انتشارات John Wiley & Sons تنها منبع جامع نانوفتونيک است که در حال حاضر در جهان وجود دارد. بخش هايي از اين فصل که به اطلاعات خود کتاب و نه اطلاعات مربوط به نانوفوتونيک مربوط مي شدند در ترجمه حذف شده اند. نانوفوتونيک جبهه هيجان انگيز جديدي از فناوري‌نانوست که اذهان افراد زيادي را در سراسر جهان به خود مشغول کرده است و به برهم‌کنش‌هاي نور و ماده در ابعاد نانومتري مربوط مي‌شود. نانوفوتونيک با افزودن ابعاد جديدي به علوم و فناوري‌نانو، چالش‌هايي براي تحقيقات بنيادي و فرصت‌هايي براي فناوري‌هاي جديد پديد آورده است. گرايش به علوم نانو، در واقع به حقيقت پيوستن ادعاي معروف فاينمن است که مي‌گويد: "فضاي زيادي آن پايين وجود دارد" (فاينمن 1961). او به اين نکته اشاره مي‌کند که اگر طول يک ميکرومتر (يک ميليونيوم متر) را به قطعات نانومتري آن تقسيم کنيم، مي‌شود تصور کرد كه چه بخش‌ها و فضاهاي فراواني قابل دستکاري خواهد شد. ما در عصر جنون نانو زندگي مي‌کنيم. هر چيزي که به نانو مربوط شود هيجان انگيز و ارزنده تلقي مي‌شود. بسياري از کشورها برنامه ملي پيشگامي فناوري‌نانو را آغاز کرده‌اند يک گزارش مفصل در مورد برنامه ملي پيشگامي فناوري‌نانوي ايالات متحده توسط شوراي تحقيقات ملي (NRC 2002) منتشر شده است. در عين اين که فناوري‌نانو نمي‌تواند ادعا کند که براي هر مشکلي راه حل بهتري را فراهم مي‌کند، اما نانو‌فوتونيک، فرصت‌هاي جديد و هيجان‌انگيزي خلق مي‌کند و فناوري‌هاي نويني را توانا مي‌سازد. نکته کليدي اين است که نانو‌فوتونيک به برهم‌کنش‌هاي نور و ماده در ابعادي بسيار کوچکتر از طول موج خود نور مي‌پردازد. نانوفوتونيک در يک نگاه نانوفوتونيک همان گونه که در شکل آورده شده است، از لحاظ مفهومي به سه بخش قابل تقسيم است. يک رويکرد براي در دست گرفتن برهم‌کنش‌هاي بين نور و ماده در قطع نانومتري، محدود کردن نور در ابعاد نانومتري است به صورتي که بسيار کوچکتر از طول موج نور باشد. رويکرد دوم محدود کردن ماده به ابعاد نانوئي است که به وسيله آن برهم‌کنش‌ها در ابعاد نانومتري محدود مي‌شوند. اين رويکرد به حوزه نانومواد مربوط مي‌شود. آخرين رويکرد محدود کردن فرآيندهاي نوري است که در آن ما به يكي از حوزه‌هاي نانوشيمي يا "تغيير فاز به وسيله نور" وارد مي‌شويم. اين رويکرد روش‌هايي را براي نانوساخت ساختارهاي فوتونيکي و واحدهاي کارکردي فراهم مي‌کند. حال نگاهي به محدود ساختن نانومقياس تشعشع‌ها خواهيم انداخت. چند راه وجود دارد که مي‌توان به وسيله آن‌ها نور را به ابعاد نانومقياس محدود کرد. يکي از آن‌ها پراکنش نوري ميدان- نزديک است كه به عنوان مثال مي‌توان از متمرکز کردن نور توسط يک فيبر نوري باريک و با پوشش فلزي به جايي که در آن نور از يک نقطه و در فضايي به مراتب کوچکتر از طول موج نور ساطع مي‌شود، نام برد. محدود ساختن نانومقياس ماده به منظور ساختن نانومواد براي فوتونيک شامل راه‌هاي متفاوتي از محدود سازي ابعاد ماده براي توليد نانوساختارهاست. به طور مثال مي‌توان از نانوذراتي استفاده کرد که خواص الکترونيکي و فوتونيکي منحصر به فرد داشته باشند. دانستن اين نکته خشنودکننده است که نانوذرات هم اکنون نيز براي کاربردهاي متفاوتي از نانوفوتونيک مانند جذب اشعه ماوراء بنفش در کرم‌ها و محلول‌هاي ضد آفتاب استفاده مي‌شوند. نانوذرات را مي‌توان هم از مواد آلي و هم از مواد غير آلي ساخت. نانومرها ]در برابر پليمرها[ که چندپارهايي (تعداد اندکي از واحدهاي تکراري) با اندازه‌هاي نانومتري هستند و ساختارهاي نانومري دارند، مشابه‌هاي آلي نانوذرات هستند. در مقابل، پليمرها ساختارهاي زنجيري شکل و طولاني هستند که از تعداد زيادي واحد تکراري تشکيل شده‌اند که خواص نوري وابسته به اندازه نانومرها را دارند. نانوذرات فلزي پاسخ‌هاي نوري منحصر به فردي بروز مي‌دهند و کمک‌هاي فراواني به حوزه الکترومغناطيس مي‌کنند و قلمرو پلاسمونيک‌ را شکل مي‌دهند. نانوذراتي وجود دارند که با رويکرد ساخت بالا به پايين روي دو فوتون (ذره بنيادي نور) جذب شده مادون قرمز، فوتوني را در ناحيۀ ماوراء بنفش پديد مي‌آورند و بالعکس، نانوذراتي وجود دارند که برنده‌هاي کوانتومي خوانده شده و با رويکرد پايين به بالا، يک فوتون جذب شده ماوراء بنفش را به دو فوتون در ناحيۀ مرئي تبديل مي‌کند. يک حوزه جذاب از نانومواد، فوتونيک شفاف است که به وجود آورنده ساختارهاي عايق متناوب با تکرار واحد، با نظمي شبيه نظم طول موج نور است. نانوکامپوزيت‌ها شامل نانوناحيه‌‌هايي از دو يا چند ماده غير مشابه مي‌شوند که در اندازه و قطع نانومتري، طبقات جداگانه‌اي داشته باشند. هر نانوناحيه‌اي در نانوکامپوزيت‌ها مي‌تواند صاحب خاصيت نوري خاص باشد. جريان انرژي نوري که به وسيله انتقال انرژي (ارتباطات نوري) بين ناحيه‌ها خلق مي‌شود، قابل کنترل نيز هست. فرآيند نوري نانومقياس مي‌تواند در نانوليتوگرافي براي ساخت نانوساختارهايي به کار گرفته شود که براي به وجود آوردن حسگرها و محرك‌هاي نانومقياس استفاده مي‌شوند. حافظه نوري نانومقياس نيز يکي از مباحث و موضوعات هيجان انگيز نانوساخت است. يکي از خواص مهم نانوساخت اين است که فرآيند نوري مي‌تواند به منطقه‌هاي نانوئي دقيق محدود شود و به اين وسيله ساختارهايي با هندسه و آرايش فرادقيق ساخته شود.
+ نوشته شده در  سه شنبه بیستم فروردین 1387ساعت 12:6  توسط دکتر رضا مرادی  | 

چشم انداز فناوري نانو الکترونيک


اصولاً اتصالات نيم رسانا - فلز جزء لازمه تمامي قطعات الکترونيکي هستند. چگونگي و رفتار اتصالات الکتريکي به غلظت سطح نيم رسانا (Si) ، تميزي سطح و واکنشهاي بين فصل مشترک فلز - نيم رسانا بستگي دارد.

ديد کلي

اصولاً اتصالات نيم رسانا - فلز جزء لازمه تمامي قطعات الکترونيکي هستند. چگونگي و رفتار اتصالات الکتريکي به غلظت سطح نيم رسانا (Si) ، تميزي سطح و واکنشهاي بين فصل مشترک فلز - نيم رسانا بستگي دارد. بعد از ابداع ترانزيستور توسط جان باردين ، مفهوم و اهميت مدارهاي مجتمع روشن شد. پس از آن موفقيت بزرگ تجمع و اتصال تعداد بسيار زيادي از قطعات کوچک و اجزاي الکترونيکي بر سطح زير لايه تحول عظيمي در ساخت عملي مدارهاي مجتمع بوجود آورد. با ابداع و رشد فناوري مينياتور کردن قطعات الکترونيکي بشر به يکي از مهمترين دستاوردهاي خود در قرن گذشته نائل آمد.



تصوير


 

سير تکاملي و رشد

با گسترش ، طراحي و ساخت مدارهاي مجتمع بويژه افزايش انباشت قطعات در مقياس خيلي بزرگ در دهه 1980 تلاش براي کوچکتر کردن قطعات ميکرو الکترونيکي ادامه يافت. از طرف ديگر تقاضاي جديد براي ساخت مدارهاي مجتمع بويژه مدارهاي حافظه شامل حافظه ديناميکي (DRAM) و حافظه استاتيکي (SRAM) با ويژگيهايي نظير سرعت عمل بالا توأم با کاهش اتلاف توان روز به روز بيشتر شد. در روند تکاملي فناوري فرامينياتور کردن قطعات الکترونيکي بويژه در هندسه و مقياس زير ميکروني کمتر از 0.2 ميکرومتر يعني حوزه فناوري طراحي قطعات نانو الکتروني و فناوري ساخت مدارهاي مجتمع از پيچيدگي خاصي برخوردار است.

بطور متوسط در هر شش سال ابعاد و اندازه قطعات الکترونيکي به نصف تقليل يافته است. امروزه با استفاده از مزيتهاي مجتمع سازي کوچکي قطعات ، بطور مشخص
فناوري نانو الکترونيک ساختار اينگونه مدارهاي مجتمع گسترده‌تر و پيچيده‌تر است. بطوري که اين مدارها از ده‌ها ميليون ترانزيستور ، ديود ، مقاومت الکتريکي و خازن تشکيل شده است. عرض خطوط اتصالات بين قطعات مختلف در سال 2000 ميلادي 0.18 ميکرومتر بود، که کاهش آن همچنان ادامه دارد.

در راستاي پيشرفت اين فناوري ، در همين سال مجموع فروش مدارهاي مجتمع در دنيا حدود 150 ميليارد دلار بر آورد شده است. به اين دليل پيچيدگي و ويژگيهاي خاص مدارهاي مجتمع با ساختار نانومتري بکار گيري مواد جديد و ‏فرآيندهاي بهتر توليد و همچنين استفاده روشهاي دقيقتر ساخت.



تصوير


 

مشخصه يابي لايه نازک قطعات الکترونيکي

مشخصه يابي لايه نازک قطعات مختلف امري الزامي است. بعضي از فرآيندهاي مهم ساخت مدارهاي مجتمع عبارتند از:


  • غير فعال سازي و غيره

    که در فناوري نانو الکترونيک براي انجام اينگونه فرآيندها بايد از پارامترها و سيستمهاي خاص استفاده کرد. مثلاً در فرآيند فلز نشاني استفاده از
    فلز مس بجاي فلز رايج آلومينيوم براي اتصالات دروني بين قطعات مختلف عملي اجتناب ناپذير است. اما نفوذ سريع اتمهاي Cu در زير Si در عمليات حرارتي منجر به تشکيل لايه سليسايد مس و در نهايت سبب تخريب قطعه الکترونيکي مي‌شود. براي رفع اين مشکل معمولاً از يک لايه مياني از مواد ديرگذار مانند Ta و w يا Mo به عنوان سد نفوذي براي بهبود پايداري حرارتي لايه Cu / Si استفاده مي‌کنند.

ساخت و مشخصه يابي سيستمهاي چند لايه‌اي

مشخصه يابي سيستمهاي چند لايه‌اي Cu/Ta /Si اخيراً مورد مطالعه قرار گرفته است. در اين زمينه تأثير ولتاژ باياس منفي بر بهبود خواص الکتريکي و ساختاري سد نفوذي لايه اسپاترنيگ Ta در سيستم Ta/Si گزارش شده است. همچنين در فناوري طراحي قطعات نانو الکتروني با استفاده ار ميکروسکوب نيروي اتمي (AFM) و ساخت لايه‌هاي نازک مورد نياز در مدارهاي مجتمع مذکور فقط در محيطهاي تعريف شده توسط روشهاي دقيق لايه نشاني نظير لايه نشاني با باريکه مولکولي (MBE) و لايه نشاني با بخار شيميايي مواد آلي فلزي (MOCVD) امکان پذير است.



تصوير


 

وسعت فناوري نانو الکترونيک

در فناوري نانو الکترونيک فرآيندهايي سطح زير لايه Si از جمله سوزش توسط فناوري پلاسما و باريکه يوني صورت مي‌گيرد. اينگونه مدارهاي مجتمع با ويژگيهاي منحصر به فرد خود در مقياس نانومتري کاربردهاي متنوعي از سيستمهاي مزوسکوپيک دارند. بعضي از اين کاربردها عبارتند از:


  • ساخت نقطه‌ها و سيستمهاي کوانتومي تونل زني در ديودهاي تشديد کننده مثل Si و Gi

  • طراحي و ساخت تقويت کننده‌هاي ليزري مثل InGap

  • طراحي و ساخت ميکرو احساسگرها و ماشينهاي ميکروني براي کاربر

    چشم انداز فناوري نانو الکترونيک
    دوشنبه 15 بهمن 1386

    اصولاً اتصالات نيم رسانا - فلز جزء لازمه تمامي قطعات الکترونيکي هستند. چگونگي و رفتار اتصالات الکتريکي به غلظت سطح نيم رسانا (Si) ، تميزي سطح و واکنشهاي بين فصل مشترک فلز - نيم رسانا بستگي دارد.

    ديد کلي

    اصولاً اتصالات نيم رسانا - فلز جزء لازمه تمامي قطعات الکترونيکي هستند. چگونگي و رفتار اتصالات الکتريکي به غلظت سطح نيم رسانا (Si) ، تميزي سطح و واکنشهاي بين فصل مشترک فلز - نيم رسانا بستگي دارد. بعد از ابداع ترانزيستور توسط جان باردين ، مفهوم و اهميت مدارهاي مجتمع روشن شد. پس از آن موفقيت بزرگ تجمع و اتصال تعداد بسيار زيادي از قطعات کوچک و اجزاي الکترونيکي بر سطح زير لايه تحول عظيمي در ساخت عملي مدارهاي مجتمع بوجود آورد. با ابداع و رشد فناوري مينياتور کردن قطعات الکترونيکي بشر به يکي از مهمترين دستاوردهاي خود در قرن گذشته نائل آمد.



    تصوير


     

    سير تکاملي و رشد

    با گسترش ، طراحي و ساخت مدارهاي مجتمع بويژه افزايش انباشت قطعات در مقياس خيلي بزرگ در دهه 1980 تلاش براي کوچکتر کردن قطعات ميکرو الکترونيکي ادامه يافت. از طرف ديگر تقاضاي جديد براي ساخت مدارهاي مجتمع بويژه مدارهاي حافظه شامل حافظه ديناميکي (DRAM) و حافظه استاتيکي (SRAM) با ويژگيهايي نظير سرعت عمل بالا توأم با کاهش اتلاف توان روز به روز بيشتر شد. در روند تکاملي فناوري فرامينياتور کردن قطعات الکترونيکي بويژه در هندسه و مقياس زير ميکروني کمتر از 0.2 ميکرومتر يعني حوزه فناوري طراحي قطعات نانو الکتروني و فناوري ساخت مدارهاي مجتمع از پيچيدگي خاصي برخوردار است.

    بطور متوسط در هر شش سال ابعاد و اندازه قطعات الکترونيکي به نصف تقليل يافته است. امروزه با استفاده از مزيتهاي مجتمع سازي کوچکي قطعات ، بطور مشخص
    فناوري نانو الکترونيک ساختار اينگونه مدارهاي مجتمع گسترده‌تر و پيچيده‌تر است. بطوري که اين مدارها از ده‌ها ميليون ترانزيستور ، ديود ، مقاومت الکتريکي و خازن تشکيل شده است. عرض خطوط اتصالات بين قطعات مختلف در سال 2000 ميلادي 0.18 ميکرومتر بود، که کاهش آن همچنان ادامه دارد.

    در راستاي پيشرفت اين فناوري ، در همين سال مجموع فروش مدارهاي مجتمع در دنيا حدود 150 ميليارد دلار بر آورد شده است. به اين دليل پيچيدگي و ويژگيهاي خاص مدارهاي مجتمع با ساختار نانومتري بکار گيري مواد جديد و ‏فرآيندهاي بهتر توليد و همچنين استفاده روشهاي دقيقتر ساخت.



    تصوير


     

    مشخصه يابي لايه نازک قطعات الکترونيکي

    مشخصه يابي لايه نازک قطعات مختلف امري الزامي است. بعضي از فرآيندهاي مهم ساخت مدارهاي مجتمع عبارتند از:


    • غير فعال سازي و غيره

      که در فناوري نانو الکترونيک براي انجام اينگونه فرآيندها بايد از پارامترها و سيستمهاي خاص استفاده کرد. مثلاً در فرآيند فلز نشاني استفاده از
      فلز مس بجاي فلز رايج آلومينيوم براي اتصالات دروني بين قطعات مختلف عملي اجتناب ناپذير است. اما نفوذ سريع اتمهاي Cu در زير Si در عمليات حرارتي منجر به تشکيل لايه سليسايد مس و در نهايت سبب تخريب قطعه الکترونيکي مي‌شود. براي رفع اين مشکل معمولاً از يک لايه مياني از مواد ديرگذار مانند Ta و w يا Mo به عنوان سد نفوذي براي بهبود پايداري حرارتي لايه Cu / Si استفاده مي‌کنند.

    ساخت و مشخصه يابي سيستمهاي چند لايه‌اي

    مشخصه يابي سيستمهاي چند لايه‌اي Cu/Ta /Si اخيراً مورد مطالعه قرار گرفته است. در اين زمينه تأثير ولتاژ باياس منفي بر بهبود خواص الکتريکي و ساختاري سد نفوذي لايه اسپاترنيگ Ta در سيستم Ta/Si گزارش شده است. همچنين در فناوري طراحي قطعات نانو الکتروني با استفاده ار ميکروسکوب نيروي اتمي (AFM) و ساخت لايه‌هاي نازک مورد نياز در مدارهاي مجتمع مذکور فقط در محيطهاي تعريف شده توسط روشهاي دقيق لايه نشاني نظير لايه نشاني با باريکه مولکولي (MBE) و لايه نشاني با بخار شيميايي مواد آلي فلزي (MOCVD) امکان پذير است.



    تصوير


     

    وسعت فناوري نانو الکترونيک

    در فناوري نانو الکترونيک فرآيندهايي سطح زير لايه Si از جمله سوزش توسط فناوري پلاسما و باريکه يوني صورت مي‌گيرد. اينگونه مدارهاي مجتمع با ويژگيهاي منحصر به فرد خود در مقياس نانومتري کاربردهاي متنوعي از سيستمهاي مزوسکوپيک دارند. بعضي از اين کاربردها عبارتند از:


    • ساخت نقطه‌ها و سيستمهاي کوانتومي تونل زني در ديودهاي تشديد کننده مثل Si و Gi

    • طراحي و ساخت تقويت کننده‌هاي ليزري مثل InGap

    • طراحي و ساخت ميکرو احساسگرها و ماشينهاي ميکروني براي کاربردهاي خاص

      چشم انداز فناوري نانو الکترونيک
      دوشنبه 15 بهمن 1386

      اصولاً اتصالات نيم رسانا - فلز جزء لازمه تمامي قطعات الکترونيکي هستند. چگونگي و رفتار اتصالات الکتريکي به غلظت سطح نيم رسانا (Si) ، تميزي سطح و واکنشهاي بين فصل مشترک فلز - نيم رسانا بستگي دارد.

      ديد کلي

      اصولاً اتصالات نيم رسانا - فلز جزء لازمه تمامي قطعات الکترونيکي هستند. چگونگي و رفتار اتصالات الکتريکي به غلظت سطح نيم رسانا (Si) ، تميزي سطح و واکنشهاي بين فصل مشترک فلز - نيم رسانا بستگي دارد. بعد از ابداع ترانزيستور توسط جان باردين ، مفهوم و اهميت مدارهاي مجتمع روشن شد. پس از آن موفقيت بزرگ تجمع و اتصال تعداد بسيار زيادي از قطعات کوچک و اجزاي الکترونيکي بر سطح زير لايه تحول عظيمي در ساخت عملي مدارهاي مجتمع بوجود آورد. با ابداع و رشد فناوري مينياتور کردن قطعات الکترونيکي بشر به يکي از مهمترين دستاوردهاي خود در قرن گذشته نائل آمد.



      تصوير


       

      سير تکاملي و رشد

      با گسترش ، طراحي و ساخت مدارهاي مجتمع بويژه افزايش انباشت قطعات در مقياس خيلي بزرگ در دهه 1980 تلاش براي کوچکتر کردن قطعات ميکرو الکترونيکي ادامه يافت. از طرف ديگر تقاضاي جديد براي ساخت مدارهاي مجتمع بويژه مدارهاي حافظه شامل حافظه ديناميکي (DRAM) و حافظه استاتيکي (SRAM) با ويژگيهايي نظير سرعت عمل بالا توأم با کاهش اتلاف توان روز به روز بيشتر شد. در روند تکاملي فناوري فرامينياتور کردن قطعات الکترونيکي بويژه در هندسه و مقياس زير ميکروني کمتر از 0.2 ميکرومتر يعني حوزه فناوري طراحي قطعات نانو الکتروني و فناوري ساخت مدارهاي مجتمع از پيچيدگي خاصي برخوردار است.

      بطور متوسط در هر شش سال ابعاد و اندازه قطعات الکترونيکي به نصف تقليل يافته است. امروزه با استفاده از مزيتهاي مجتمع سازي کوچکي قطعات ، بطور مشخص
      فناوري نانو الکترونيک ساختار اينگونه مدارهاي مجتمع گسترده‌تر و پيچيده‌تر است. بطوري که اين مدارها از ده‌ها ميليون ترانزيستور ، ديود ، مقاومت الکتريکي و خازن تشکيل شده است. عرض خطوط اتصالات بين قطعات مختلف در سال 2000 ميلادي 0.18 ميکرومتر بود، که کاهش آن همچنان ادامه دارد.

      در راستاي پيشرفت اين فناوري ، در همين سال مجموع فروش مدارهاي مجتمع در دنيا حدود 150 ميليارد دلار بر آورد شده است. به اين دليل پيچيدگي و ويژگيهاي خاص مدارهاي مجتمع با ساختار نانومتري بکار گيري مواد جديد و ‏فرآيندهاي بهتر توليد و همچنين استفاده روشهاي دقيقتر ساخت.



      تصوير


       

      مشخصه يابي لايه نازک قطعات الکترونيکي

      مشخصه يابي لايه نازک قطعات مختلف امري الزامي است. بعضي از فرآيندهاي مهم ساخت مدارهاي مجتمع عبارتند از:


      • غير فعال سازي و غيره

        که در فناوري نانو الکترونيک براي انجام اينگونه فرآيندها بايد از پارامترها و سيستمهاي خاص استفاده کرد. مثلاً در فرآيند فلز نشاني استفاده از
        فلز مس بجاي فلز رايج آلومينيوم براي اتصالات دروني بين قطعات مختلف عملي اجتناب ناپذير است. اما نفوذ سريع اتمهاي Cu در زير Si در عمليات حرارتي منجر به تشکيل لايه سليسايد مس و در نهايت سبب تخريب قطعه الکترونيکي مي‌شود. براي رفع اين مشکل معمولاً از يک لايه مياني از مواد ديرگذار مانند Ta و w يا Mo به عنوان سد نفوذي براي بهبود پايداري حرارتي لايه Cu / Si استفاده مي‌کنند.

      ساخت و مشخصه يابي سيستمهاي چند لايه‌اي

      مشخصه يابي سيستمهاي چند لايه‌اي Cu/Ta /Si اخيراً مورد مطالعه قرار گرفته است. در اين زمينه تأثير ولتاژ باياس منفي بر بهبود خواص الکتريکي و ساختاري سد نفوذي لايه اسپاترنيگ Ta در سيستم Ta/Si گزارش شده است. همچنين در فناوري طراحي قطعات نانو الکتروني با استفاده ار ميکروسکوب نيروي اتمي (AFM) و ساخت لايه‌هاي نازک مورد نياز در مدارهاي مجتمع مذکور فقط در محيطهاي تعريف شده توسط روشهاي دقيق لايه نشاني نظير لايه نشاني با باريکه مولکولي (MBE) و لايه نشاني با بخار شيميايي مواد آلي فلزي (MOCVD) امکان پذير است.



      تصوير


       

      وسعت فناوري نانو الکترونيک

      در فناوري نانو الکترونيک فرآيندهايي سطح زير لايه Si از جمله سوزش توسط فناوري پلاسما و باريکه يوني صورت مي‌گيرد. اينگونه مدارهاي مجتمع با ويژگيهاي منحصر به فرد خود در مقياس نانومتري کاربردهاي متنوعي از سيستمهاي مزوسکوپيک دارند. بعضي از اين کاربردها عبارتند از:


      • ساخت نقطه‌ها و سيستمهاي کوانتومي تونل زني در ديودهاي تشديد کننده مثل Si و Gi

      • طراحي و ساخت تقويت کننده‌هاي ليزري مثل InGap

      • طراحي و ساخت ميکرو احساسگرها و ماشينهاي ميکروني براي کاربردهاي خاص

      • به دليل اهميت فناوري نانو الکترونيک در چند سال گذشته چندين کارگاه عملي در زمينه‌هاي مختلف فيزيک و فناوري نانو الکتريک برگزار شده است. با ادامه رشد و گسترش اين فناوري پيشرفته ، در آينده شاهد تحول عظيمي در زمينه‌هاي ارتباطات خواهيم بود.

    • به دليل اهميت فناوري نانو الکترونيک در چند سال گذشته چندين کارگاه عملي در زمينه‌هاي مختلف فيزيک و فناوري نانو الکتريک برگزار شده است. با ادامه رشد و گسترش اين فناوري پيشرفته ، در آينده شاهد تحول عظيمي در زمينه‌هاي ارتباطات خواهيم بود.
    دهاي خاص

  • به دليل اهميت فناوري نانو الکترونيک در چند سال گذشته چندين کارگاه عملي در زمينه‌هاي مختلف فيزيک و فناوري نانو الکتريک برگزار شده است. با ادامه رشد و گسترش اين فناوري پيشرفته ، در آينده شاهد تحول عظيمي در زمينه‌هاي ارتباطات خواهيم بود.
+ نوشته شده در  سه شنبه چهاردهم اسفند 1386ساعت 11:32  توسط دکتر رضا مرادی  | 

نانو الکترونیک

در سال 1956 گوردون مور بنيان‌گذار اينتل تحليلي ارايه كرد كه بر طبق آن هر 18 ماه تعداد ترانزيستورهاي بكار رفته در ريزپردازهاي اينتل دو برابر مي شود كه نصف شدن ابعاد گيت ترانزيستورها با شرط ثابت بودن اندازه تراشه سيليكوني در آن مي‌تواند نتيجه اين قوانين باشد.
اين قاعده به قانون مور موسوم شد. اين نصف شدن در واقع پيام‌آور ابعاد اقتصادي بود يعني هر چه گيت كوچكتر مي‌شد ترانزيستور مي‌توانست سريعتر سوئيچ كند و درنتيجه انرژي كمتري مصرف مي‌شد و تعداد بيشتري ترانزيستور در يك تراشه سيليكون جاي مي‌گرفت. افزايش تعداد ترانزيستورها و بازدهي آنها، هزينه را كاهش مي‌دهد بنابراين مقرون به صرفه‌تر اين بود كه هر ترانزيستور تا حد امكان كوچكتر شود، اين كوچك‌سازي بالاخره در نقطه‌اي متوقف مي‌شد بنابراين براي ادامه رشد صنعت الكترونيك بايد به فكر فناوريهاي جايگزين بود، فناوري كه مشكلات گذشته را حل كرده و توجيه اقتصادي داشته باشد و اينبار نانو تكنولوژي بود كه توانست به كمك الكترونيك بيايد و فناوري الكترونيك مولكولي يا همان نانو‌الكترونيك بنا نهاده شد.
نانو تكنولوژي يك رشته وابسته به ابزار است ابزارهايي كه به مرور در حال بهتر شدن است نانو تكنولوژي و شاخه‌هاي كاربردي آن مانند نانوالكترونيك درواقع توليد كارآمد دستگاهها و سيستم‌ها با كنترل ماده در مقياس طولي نانو است و بهره‌برداري از خواص و پديده‌هاي نوظهوري است كه در اين مقياس توسعه يافته است.
صنعت الكترونيك امروزي مبتني بر سيليكون است سن اين صنعت به حدود 50 سال مي‌رسد و اكنون به مرحله‌اي رسيده است كه از لحاظ تكنولوژيكي، صنعتي و تجاري به بلوغ رسيده است. در مقابل اين فناوري، الكترونيك مولكولي قرار ارد كه در مراحل كاملاً ابتدايي است و قرار است اين فناوري به عنوان آينده و نسل بعدي صنعت الكترونيك سيليكوني مطرح شود. الكترونيك مولكولي دانشي است كه مبتني بر فناوري نانو بوده و كاربردهاي وسيعي در صنعت الكترونيك دارد. با توجه به كاربردهاي وسيع الكترونيك در محصولات تجاري بازار مي‌توان با سرمايه‌گذاري و تامل بيشتر در فناوري نانو الكترونيك در آينده‌اي نه چندان دور شاهد سود‌دهي كلان محصولاتي بود كه جايگزين فناوري الكترونيك سيليكوني شده‌اند. ميل، اشتياق و علاقه مصرف‌كنندگان و نياز بازار به محصولات جديد با قابليتهاي بالا سازندگان و صنعتگران را بر آن مي‌دارد كه با سرمايه‌گذاري در اين فناوري شاهد رشد و شكوفايي اقتصادي هر چه بيشتر باشند، وليكن با توجه به اهميت نانوتكنولوژي و نيز نانو الكترونيك كه به عنوان يك شاخه كاربردي از نانو تكنولوژي مطرح است لزوم سرمايه‌گذاري كلان در درازمدت و ريسك‌پذيري و تشكيل مراكز R&D توسط دولتمردان پيش از پيش احساس مي‌شود.
براي پيشبرد فناوري نانو الكترونيك و نتيجه رساندن آن سه مرحله راهبردي پيشنهاد مي‌شود كه با پياده‌سازي اين سه‌مرحله مي‌توان نانو الكترونيك را جايگزين فناوري الكترونيك سيليكوني كرد ونسل جديدي از محصولات الكترونيكي را وارد بازار ساخت.
مرحله اول:
مولكولي در نظر گرفته مي‌شود بايد كاربردهايي ساده ارزان و غير پيچيده‌اي باشند تا اطمينان نسبي به الكترونيك مولكولي ايجاد شده و سرمايه‌گذاري‌ها به سمت آن هدايت شود و از طرفي كارايي اين فناوري ثابت شود. به بيان ساده وشفاف و مقايسه نسل جديد محصولات كه بر پايه اين فناوري جايگزين شده‌اند، توجيه كاربرد اين محصولات و ايجاد اطمينان در مصرف‌كنندگان مي‌تواند به عنوان بهترين حامي اقتصادي در اين مرحله باشد.
مرحله دوم:
توليدات اوليه الكترونيك مولكولي (نانو الكترونيك) بايد مكملي براي فناوري سيليكون باشند اينگونه نباشد كه انقلابي رااز همان آغاز و ابتدا شروع كرده و اين ادوات و فناوريهاي جديد تافته جدا بافته باشد و هيچ ربطي به فناوري سيليكوني نداشته باشد زيرا فناوري سيليكوني يك صنعت جا افتاده است. پس اگر نانوالكترونيك را بتوان مكملي براي فناوري سيليكوني بكار برد شاهد پيشرفت قابل ملاحظه‌اي در اين فناوري نوپا بوده و جايگزين مناسبي براي نسل آينده محصولات الكترونيكي در نظر گرفته شده است.
مرحله سوم:
مرحله سوم مبحث كاملاً جديدي است كه اصلاً در دسترس فناوري سيليكون نبوده و نانوالكترونيك مي‌تواند بعد از طي مراحل اول و دوم به آن بپردازد، يك مثال ساده وروشن اين موضوع، نمايشگرها هستند، نمايشگرهاي متداول كاملاً سخت و غيرقابل انعطاف هستند ولي با استفاده از الكترونيك مولكولي ومولكول‌هايي كه در صفحه نمايش استفاده داشته باشد بنابر اين كابرد‌هايي وجود دارد كه از دسترس فناوري سيليكون، آن هم بخاطر جامد و كريستالي بودن ذاتي‌اش دور بوده و براي الكترونيك مولكولي قابل دستيابي است. وقتي كه نانو الكترونيك جا افتاد و وارد بازار محصولات الكترونيك شد آنگاه مي‌توان نسل جديدي از محصولات را به دست آورد كه شامل پردازندهايي 1000 مرتبه سريعتر از نوع امروزي باشند. اگر اين مرحله با موفقيت طي شود حدوداً يك دهه طول خواهد كشيد تا نسل جديد محصولات الكترونيكي مبتني بر الكترونيك مولكولي يا الكترونيك در ابعاد نانومتر (نانو الكترونيك) ظهور يابد.

بررسي امكانات موجود:
براي ساخت ابزارهاي مولكولي بايد ديد از چه چيزهايي مي‌توان استفاده كرد،‌وسايلي كه در اختيار است و تاكنون مدنظر بوده است به شرح ذيل هستند:
نانو لوله‌ها
حلقه‌هاي بنزني
پليمرها
DNA

نانو لوله‌ها:
اگر يك صفحه تخت گرافيكي مدنظر باشد و به شكلي بتوان آن را به صورت نواري در نظر گرفت و لوله كرد يك نانو لوله مفروض به دست مي‌آيد كه ساختار آن همان ساختار گرافيت بوده و يك هگزاگونال است. اين ماده در سال 1991 در ژاپن كشف شده و به علت خصوصيات جالب آن مورد توجه قرار گرفت. يك خاصيت جالب اين مواد آن است كه بر حسب اينكه در چه جهتي خم شود داراي خاصيت نيمه‌هادي و يا فلزي مي‌شود. قطر يك نانو لوله كمتر از 2 نانومتر است و از اين نانو لوله مي‌توان به عنوان يك سيم كوانتومي يا يك سيم غيرفعال استفاده كرد به عنوان مثال اين لوله مي‌تواند به عنوان يك سيم انتقال هنگام اعمال اختلاف پتانسيل از يك الكترود به الكترود ديگر عمل كند كه اين موضوع مثالي از اتصالات غيرفعال مي‌تواند باشد.
نانو لوله داراي خاصيت فلزي است اين خاصيت رسانش نه فقط در طول بلكه در عرض نانو لوله نيز وجود دارد براي حالت سيمهاي مولكولي غيرفعال، بهتر است كه نانو لوله داراي خاصيت رسانش باشد، اگر باشد، نانو لوله داراي گاف انرژي خواهد بود كه شبيه نيمه هادي خواهد شد. اگر نانو لوله كربني روي سطحي قرار داده شود و نوك STM (مولكول نانو لوله‌هاي كربني) رابه سطح آن نزديك شود، چنانچه ولتاژي را بين بستري كه نانو لوله روي آن قرار دارد و نوك STM اعمال شود جرياني عبور خواهد كرد، بر حسب مقدار جرياني كه عبور مي‌كند، مي‌توان تشخيص داد كه گاف انرژي چقدر است.

حلقه بنزني:
حلقه‌هاي بنزني به خاطر چگالي حالت بالا كه بر روي حلقه‌هاي خود دارند جانشيني براي سيمهاي كوانتومي در نظر گرفته مي‌شود.

پليمرها:
از نمونه‌هايي كه به عنوالن سيمهاي مولكولي فعال يا غيرفعال مي‌توان نام برد پلي‌تيوفن (PT) يا پلي‌انيلين است كه داخل يك سيكلود كسترين1 (CD) قرار گرفته باشد اين دو ماده در اصل پليمرهايي هستند كه به عنوان قسمتهاي هادي سيم بكار مي‌روند اين پليمرها شبيه حلقه‌ بنزني است كه به همديگر چسبيده‌اند و دو سر آن به دو الكترود طلا وصل شده است. اتصالات سيمهاي مولكلولي به الكترودهايش توسط اتم‌هاي گوگرد برقرار مي‌شود سطحي كه اين پليمر بر روي آن قرار مي‌گيرد ممكن است قسمتي از جريان را بكشد يعني اينكه يك جريان اتلافي داشته باشد براي اينكه مانع از اين جريان اتلافي شد بايد اين سيم را داخل يك حفاظ مولكولي قرار داد اين حفاظ نيز شبيه نانو لوله كربني است اما داراي قطر بسيار بزرگتر و ساختار پيچيده‌تري است لذا اين لوله مولكولي مانع عبور جريان اتلافي از ديواره‌هاي سيم و انتقال آن به سطح تماس مي‌شود.

DND:
DNA نمونه‌اي از سيم‌هاي فعال است. ساختمان DNA كاملاً شناخته شده است و به طور خودكار اين ساختمان ايجاد مي‌شود، براي توليد آن مانند پليمرها مشكلي وجود ندارد فقط بايد خواص آن مورد بررسي قرار گيرد تا متوجه چگونگي تغييرات آن شد براي اين منظور به ذكر مثالي پرداخته مي‌شود:
به منظور استفاده از DNA براي محاسبه جريان بر حسب ولتاژ، يك فاصله 8 نانومتري بين دو الكترود پلاتين مفروض مي‌شود، پس با اعمال يك ولتاژ مي‌توان جريان را محاسبه كرد.
نكته‌اي كه از شكل بالا برداشت مي‌شود اين است كه نمودار جريان بر حسب ولتاژ نموداري نامتقارن است، يعني اينكه جريان براي ولتاژي مثلاً بين 1- و 2 ولت اجازه عبور ندارد در حالي كه براي 2- و 1- جريان مي‌تواند عبور كند و اين يعني اينكه DNA مي‌تواند عمل يكسوسازي را انجام دهد. در مورد هدايت از داخل DNA سه نظريه مد نظر است، يكي اينكه DNA يك نيمه هادي با گاف خيلي بزرگ است. ديگر اينكه DNA يك نيمه هادي با گاف كوچك ونيز اينكه DNA داراي خاصيت فلزي است.
موضوع در اصل اين است كه DNA ماده بسيار پيچيده‌اي است كه شرايط محيطي به شكل بسيار زيادي مي‌تواند بر روي خواص آن تاثير بگذارد يكي از اين شرايط محيطي موثر حضور آب است، DNA‌يي كه در محيط خشك باشد با DNAيي كه در محيط مرطوب باشد بسيار متفاوت است. لذا با توجه به شرايط محلي حاكم بر DNA نمي‌توان يك نتيجه قطعي در مورد اينكه DNA فلز است يا نيمه فلز بيان كرد اما آنچه كه مسلم است اين است كه DNA يك نيمه هادي با گاف بزرگ است.
در حالت عادي يونهايي وجود دارد كه با دستكاري آنها مي‌توان خواص هدايتي DNA را تغيير داد يعني مي‌توان اميد داشت كه با افزودن يونهايي بتوان حتي آن را به فلز تبديل كرد يك نكته جالب ديگر اين است كه مي‌توان از DNA به عنوان قالب استفاده كرد و در مكانهاي مشخصي روي DNA يكسري فلزات را قرار داد تا يك سيم فلزي دور DNA ايجاد شود. در اين حالت DNA به عنوان قالبي براي پايدار نگه داشتن سيم مورد نظر استفاده قرار گيرد. بررسي پايداري DNA با توجه به شرايط محلي حاكم بر سيستم نيز امكان‌پذير است. هدايت DNA در دو مسير مشخص صورت مي‌گيرد. وقتي DNA را به عنوان هدايت‌كننده جريان در نظر گرفته شده يك بار مي‌تواند در جهت موازي محورش جريان را عبور دهد و يك بار نيز مي‌تواند عمود بر محورش جريان را عبور دهد، حال براي هدايت در جهت عمود بر محور مي‌توان اينگونه فرض كرد كه وقتي نوك STM (مولكول نانو لوله‌هاي كربني) در بالاي DNA قرار مي‌گيرد جريان به شكل عمود از جفت‌هاي بازي كه وجود دارد وارد نوك STM مي‌شود اين كار مي‌تواند هم به عنوان آزمايشي براي ديدن تصوير DNA و هم براي اندازه‌گيري عبور جريان جفت‌هاي بازي به كار رود ومي‌توان بدين شكل رسانش AT و CG (جفت‌هاي بازهايي كه در مارپيچ DNA وجود دارند) را محاسبه كرد.
DNA مي‌تواند يك ابزار در توليد محصولات نانو‌الكترونيك كاربرد‌هاي فراواني داشته باشد، با توجه به اينكه DNA به طور طبيعي در طبيعت و سلولهاي موجودات زنده وجود دارد مي‌توان از آن در توليد ديگر محصولات نانوتكنولوژي همانند نانوموتورها سود جست. كنترل و پايداري DNA نيز با توجه به خواص ذاتي و محلي آن امكان‌پذير بوده و جاي تامل و بحث دارد.

نتيجه‌گيري:
1ـ آنچه كه مسلم است، الكترونيك مولكولي داراي آينده‌اي درخشان است و با آهنگ بسيار سريعي در حال رشد و تكامل است. از اين رو توجه خاصي را مي‌طلبد.
2ـ نتايج عملي رشد و توسعه شاخه‌هاي نانوتكنولوژي مانند نانوالكترونيك سبب ساخت تجهيزاتي خواهد شد كه در مقايسه با گذشته اختلاف فاحش داشته و نسل كاملاً جديدي با قابليت‌هاي منحصر به فرد خواهد بود.
3- نانو لوله‌ها و DNA به عنوان دو ابزار كارآمد در توليد محصولات نانوالكترونيك از اهميت خاصي برخوردارند، وليكن در اين ميان DNA به دليل داشتن خواص محلي و وجود آن در بدن موجودات زنده از اهميت بيشتري برخوردار است.
4- با توجه به دو شاخص تعداد مقالات علمي و اختراعات ثبت‌شده، در نانو تكنولوژي مي‌توان نتيجه گرفت كه اين شاخصها مي‌توانند اطلاعاتي مفيد در مورد تكامل اين فناوري را نشان دهند و براي طرح برنامه‌ها و استراتژيها مناسب باشند.
5- نانوتكنولوژي و شاخه‌هاي كاربردي آن در علوم مختلف مانند نانوالكترونيك به عنوان پديده‌هايي نوظهور هنوز قبل از تجاري سازي محصولاتشان، احتياج به پيشرفت در هر دو زمينه علمي و تكنولوژيكي را دارد. با توجه به اينكه هم‌اكنون برخي از محصولات اين فناوري در بازار وجود دارد پيش‌بيني اينكه كداميك از محصولات آينده بهتري دارند (از نظر رقابتي) نياز به بررسي بيشتر شاخصهاي اين فناروي در بخشهاي صنعت و زيرمجموعه‌هاي اين فناوري دارد.
6- با توجه به اهميت فناري نانو و كاربردهاي روزافزون آن در دنيا بايد تحقيقات دانشگاهي و دولتي تواماً صورت گيرد و به علت اينكه اهداف تحقيقاتي اين فناوري پايه‌اي و درازمدت است بخش صنعت توان سرمايه‌گذاري بر روي تحقيقات درازمدت و مخاطره‌آميز را نداشته، از اين رو حمايت دولتمردان به عنوان پشتوانه‌اي مهم در اين فناوري خواهد بود علاوه بر اين ايجاد ساختارهاي جديد در دانشگاهها و آزمايشگاههاي ملي براي توسعه اين فناوري لازم است نيازمنديها و انتظارات فناوري نانو و شاخه‌هاي كاربردي آن در علوم مختلف مانند نانوالكترونيك فراتر از تمامي چيزهايي است كه مقررات سنتي دانشگاهي، آزمايشگاهي ملي و يا حتي تمام صنعت مي‌تواند فراهم كند و به خاطر همين مشكلات است كه يك حركت و انديشه ملي پايه‌ريزي و با حمايت دولتي در زمينه اين فناوري حياتي به نظر مي‌رسد.
با توجه به پتانسيل‌هاي موجود ايران در زمينه مهندسي الكترونيك، لزوم يك مركز R&D دولتي كه به حمايت محصولات توليدي الكترونيكي صنايع پرداخته و بتواند در آينده بازار تجاري محصولات نانو‌الكترونيك را به دست بگيرد به شدت حس مي‌شود و اگر تدبيري انديشيده نشود متاسفانه بايد گفت كه همانند گذشته بايد مصرف‌كننده خوبي بوده و شاهد سودهاي كلان تجاري ديگر كشورها و سرمايه‌گذاران بود.

منبع: ماهنامه صنعت برق

+ نوشته شده در  چهارشنبه هفتم آذر 1386ساعت 17:40  توسط دکتر رضا مرادی  |